Во II кв. SanDisk выпустит память с трехбитными ячейками
Одновременно с анонсом выпуска на рынок 43-нм микросхем флэш-памяти компания SanDisk Corporation заявила о своих планах в марте-апреле текущего года начать первое в отрасли серийное производство NAND-чипов с возможностью хранения трех битов в одной ячейке.
Первыми в продаже появятся чипы емкостью 16 Гбит, а производиться они будут с соблюдением 56-нм норм. Отмечается, что перевод на технологию «3 бита на ячейку» позволяет увеличить количество чипов, получаемых с одной полупроводниковой пластины, на 20% по сравнению со стандартной технологией MLC, которая предусматривает хранение в одной ячейке только двух бит. Таким образом, повышается эффективность производства и, соответственно, уменьшается себестоимость чипов.
Новая архитектура, именуемая x3 flash architecture, разрабатывалась на протяжении последних двух лет совместными усилиями Toshiba и SanDisk. Много внимания было уделено скоростным показателям и надежности чипов.
По утверждению производителя, «3-битные» микросхемы не отстают по производительности и степени безотказности в работе от стандартных «2-битных». Так, на конференции ISSCC 2008 компании-партнеры представили доклад о 16-Гбит чипах с технологией 3-bits-per-cell, скорость записи которых достигает 8 Мб/с.
Похожие записи:
- Гибридные флэш-модули для мобильных телефонов от Toshiba
- Toshiba построит завод по производству флэш-памяти
- Целая россыпь SSD-новинок от A-DATA
- Стартовали продажи M2-карт ёмкостью 4 Гбайт и пробные поставки microSDHC-карт объёмом 6 и 8 Гбайт от SanDisk